[实用新型]一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版有效
| 申请号： | 201220138441.4 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202631948U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李文波;孙中元;邓简;武延兵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，包括至少两组对位标记，所述每组对位标记包括两个对位图形，所述对位图形的图案不同且设置于掩膜版相对的两侧。本实用新型通过采用该掩膜版，实现了一张掩膜版在阵列基板和/或彩膜基板上形成多种对位标记的效果，极大的降低成本，显著提升企业的经济效益和核心竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 彩膜基板上 形成 对位 标记 掩膜版 | ||
【主权项】：
一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，包括至少两组对位标记，所述每组对位标记包括两个对位图形，所述对位图形的图案不同且设置于掩膜版相对的两侧。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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