[实用新型]一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置有效
申请号: | 201220165200.9 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN202519327U | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 相炳坤;李文帅;朱其豹;徐锋;左敦稳 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 裴咏萍 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置,该装置包括炬电源、引弧电源、反应气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、多个等离子体炬和设于各等离子体炬正下方的各水冷基底支撑台;各等离子体炬分别固定在真空反应室上部盖板上,各等离子体炬阳极位于真空反应室内部,与各水冷基底支撑台相对;炬电源和引弧电源,分别与各等离子体炬相连;气体供给系统分别与各等离子体炬相连;抽气系统和真空反应室相连;冷却水系统分别与各水冷工作台、罗茨泵、各等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连。本实用新型采用多炬等离子体喷射CVD法,单台设备能同时进行多块超硬膜沉积、显著降低制膜成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 喷射 cvd 沉积 超硬膜 装置 | ||
【主权项】:
一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置,包括炬电源、引弧电源、气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、设于真空反应室内的水冷基底支撑台和设于水冷基底支撑台正上方的离子体炬;所述等离子体炬固定在真空反应室上部盖板上,等离子体炬的阳极位于真空反应室内部,与下方的水冷基底支撑台相对;所述炬电源和引弧电源分别与等离子体炬相连;所述气体供给系统和抽气系统分别与等离子体炬和真空反应室相连;所述冷却水系统分别与水冷基底支撑台、等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连;其特征在于:所述等离子体炬为多个;所述多个等离子体炬并联接入炬电源和引弧电源;所述气体供给系统分别与各等离子体炬相连;所述抽气系统与真空反应室相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学,未经南京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220165200.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:平板一体式太阳能热水器
- 下一篇:长颈玻璃漏斗运输包装装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的