[实用新型]一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置有效

专利信息
申请号: 201220165200.9 申请日: 2012-04-18
公开(公告)号: CN202519327U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 相炳坤;李文帅;朱其豹;徐锋;左敦稳 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 代理人: 裴咏萍
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置,该装置包括炬电源、引弧电源、反应气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、多个等离子体炬和设于各等离子体炬正下方的各水冷基底支撑台;各等离子体炬分别固定在真空反应室上部盖板上,各等离子体炬阳极位于真空反应室内部,与各水冷基底支撑台相对;炬电源和引弧电源,分别与各等离子体炬相连;气体供给系统分别与各等离子体炬相连;抽气系统和真空反应室相连;冷却水系统分别与各水冷工作台、罗茨泵、各等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连。本实用新型采用多炬等离子体喷射CVD法,单台设备能同时进行多块超硬膜沉积、显著降低制膜成本。
搜索关键词: 一种 等离子体 喷射 cvd 沉积 超硬膜 装置
【主权项】:
一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置,包括炬电源、引弧电源、气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、设于真空反应室内的水冷基底支撑台和设于水冷基底支撑台正上方的离子体炬;所述等离子体炬固定在真空反应室上部盖板上,等离子体炬的阳极位于真空反应室内部,与下方的水冷基底支撑台相对;所述炬电源和引弧电源分别与等离子体炬相连;所述气体供给系统和抽气系统分别与等离子体炬和真空反应室相连;所述冷却水系统分别与水冷基底支撑台、等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连;其特征在于:所述等离子体炬为多个;所述多个等离子体炬并联接入炬电源和引弧电源;所述气体供给系统分别与各等离子体炬相连;所述抽气系统与真空反应室相连。
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