[实用新型]一种新型的GaN基发光二极管有效
| 申请号： | 201220165860.7 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN202797050U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;马学进;吴质朴 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529200 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型的GaN基发光二极管。所述的发光二极管包括依次层叠的衬底4、第一种半导体载流子注入层1、多量子阱结构2、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)5及第二种半导体载流子注入层3。本实用新型能够缓释多量子阱与P型层之间应力作用，改善空穴的有效注入，提高器件的内量子效率和电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种新型的GaN基发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管包括依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)及第二种半导体载流子注入层。
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