[实用新型]具有过压保护的半导体器件及基于此器件的双向极性器件有效
| 申请号： | 201220168523.3 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN202585422U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 谢可勋;西里奥艾珀里亚科夫 | 申请（专利权）人： | 谢可勋;浙江美晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件，特别是一种具有过压保护的半导体器件及基于此器件的双向极性器件。本实用新型是通过以下技术方案得以实现的：一种具有过压保护的半导体器件，它包括衬底，设于衬底上部的第一区域，设于第一区域上部的多个第二区域，设于衬底下表面的第三区域，连接于第一区域、第二区域的第一金属接触，连接于所述第三区域的第二金属接触；衬底在与第一区域的下表面交界处具有多个起伏区域；每个起伏区域都对应于相应的第二区域之间。相比背景技术，本实用新型在导通的过程中，靠近击穿处的阴极与阴极基区之间的PN结的电流密度，较不易达到半导体材料所能承受的临界值，提高了过电流承受能力，从而提高的器件工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护 半导体器件 基于 器件 双向 极性 | ||
【主权项】：
一种具有过压保护的半导体器件，其特征在于，它包括 呈第一导电类型的衬底（9），设于所述衬底（9）上部呈第二导电类型的第一区域（10），设于所述第一区域（10）上部且呈第一导电类型的多个第二区域（11），设于所述衬底（9）下表面且呈第二导电类型的第三区域（14），连接于第一区域（10）、第二区域（11）的第一金属接触（15），连接于所述第三区域（14）的第二金属接触（16）；所述衬底（9）在与第一区域（10）的下表面交界处具有多个起伏区域（13）；每个所述起伏区域（13）都对应于相应的第二区域（11）之间。
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