[实用新型]具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置有效
申请号: | 201220175260.9 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN202562127U | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 林义民 | 申请(专利权)人: | 林义民 |
主分类号: | F25B21/04 | 分类号: | F25B21/04 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供一种具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,包括致冷芯片、第一传导模块及第二传导模块,致冷芯片包括氮化铝层、披覆在氮化铝层上的金属薄膜、形成在金属薄膜上的铜箔层、以及固定在铜箔层的P型半导体及N型半导体,第一传导模块包含贴接在致冷芯片的冷端面上的第一基座、固定在第一基座的第一鳍片、及装置在第一鳍片上的第一风扇,第二传导模块包含贴接在致冷芯片的热端面上的第二基座、固定在第二基座的超导管、套接在超导管上的第二鳍片、及装置在第二鳍片上的第二风扇,借此提升冷热交换装置的致冷(热)效果。 | ||
搜索关键词: | 具有 导热 系数 致冷 芯片 冷热 交换 装置 | ||
【主权项】:
一种具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,该交换装置包括:具有冷端面及热端面的致冷芯片,包括:第一氮化铝层及第二氮化铝层;第一金属薄膜及第二金属薄膜,该第一金属薄膜披覆在该第一氮化铝层上,该第二金属薄膜披覆在该第二氮化铝层上;第一铜箔层及第二铜箔层,该第一铜箔层形成在该第一金属薄膜上,该第二铜箔层形成在该第二金属薄膜上;以及多数个P型半导体及多数个N型半导体,交互排列且固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间,其中,该第一氮化铝层及该第二氮化铝层对应位于该P型半导体及该N型半导体的相对侧;第一传导模块,包含贴接在该致冷芯片的冷端面上的第一基座、固定在该第一基座的两个以上第一鳍片、及装置在该第一鳍片上的第一风扇;以及第二传导模块,包含贴接在该致冷芯片的热端面上的第二基座、固定在该第二基座的两个以上超导管、套接在该超导管上的两个以上第二鳍片、及装置在该第二鳍片上的第二风扇。
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