[实用新型]一种吸收电容结构有效
| 申请号： | 201220182743.1 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN202616046U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金红旗;李彦栋;黎捷勇 | 申请（专利权）人： | 美的集团有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/38 | 分类号： | H01G4/38;H01G4/224;H01G4/236 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 528311 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。使用时，将本实用新型的端子分别与IGBT对应的管脚直接连接，形成本实用新型与IGBT直接并联的结构。本实用新型的有益效果是，将电容做一体化设计，通过内部封装，引出与IGBT管脚一一对应的端子，直接并联在IGBT的模块上，具有装配方便，同时电容与IGBT模块等高，可以很方便地固定在IGBT模块的散热器上，有利于器件的散热，降低吸收电容的温升，有效地提高吸收电容的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。
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