[实用新型]半导体发光二极管器件有效
| 申请号： | 201220186889.3 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN202549915U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本实用新型能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；其特征在于，所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。
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