[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201220187530.8 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN202549830U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 荻野博之;生田目裕子 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供按照窄节距配置流过大电流的外部引线的半导体装置。本实用新型的半导体装置,将多个外部引线形成为交错状,该半导体装置的特征在于,外部引线具有粗部、弯曲部、变更部和插入部,在形成了粗部之后,从弯曲部到变更部的长度均匀。另外,其特征在于,在从树脂封装体侧面导出了3根以上的外部引线中,两端的外部引线的变更部相比于内侧的外部引线,从弯曲部到变更部的长度更长。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
半导体装置,其将多个外部引线形成为交错状,该半导体装置的特征在于,所述外部引线具有粗部、弯曲部、变更部和插入部,形成所述粗部后的从所述弯曲部到所述变更部的长度均匀。
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