[实用新型]一种改善恢复软度特性的二极管

摘要

本实用新型提供一种改善恢复软度特性的二极管，所述二极管包括第一本征外延层、高掺杂浓度外延层、第二本征外延层和低掺杂浓度外延层的四层复合工艺结构，从而在二极管工作在反向恢复的过程时，PN结经过少数载流子存储时间后，相比低浓度掺杂外延区，高浓度掺杂外延层能够提供更多用于复合的载流子，使得复合时间相应增加，电流、电压变化较为平缓，从而获得更大的复合时间和存储时间的比值，进而提高了二极管的软度因子。进一步的，采用改进外延工艺改善恢复软度特性的二极管，在保证反向恢复时间不改变的前提下，软度因子能够由0.5提高到1.2，从而更加适合应用于快速整流电路。

主权项

一种改善恢复软度特性的二极管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底为第一类型；第一本征外延层，位于所述半导体衬底上；高掺杂浓度外延层，位于所述第一本征外延层上；第二本征外延层，位于所述高掺杂浓度外延层上；低掺杂浓度外延层，位于所述第二本征外延层上；第二类型掺杂区，形成于所述低掺杂浓度外延层上；以及第二类型重掺杂区，形成于所述第二类型掺杂区。