[实用新型]基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构有效
| 申请号： | 201220198354.8 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN202585516U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 郭文平;王东盛;钟玉煌 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，属于外延片的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，包括AlN陶瓷衬底及生长于AlN陶瓷衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有GaNLED结构层。本实用新型采用AlN陶瓷衬底，并在AlN陶瓷衬底上设置缓冲层，通过生长缓冲层后在AlN陶瓷衬底上通过MOCVD常规工艺制备得到GaNLED结构层，工艺步骤简单方便，能大大提高GaNLED晶体质量，同时可以在GaNLED结构层内设置DBR层及粗化层，以提高通过GaNLED结构层得到LED工作时的出光效率，通过AlN陶瓷衬底能提高导热性能，结构简单紧凑，工艺简单，机械性能优良，耐腐蚀，延长通过外延片制备LED器件的使用寿命，稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 aln 陶瓷 衬底 gan 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，其特征是：包括AlN陶瓷衬底（101）及生长于AlN陶瓷衬底（101）上的缓冲层（102），所述缓冲层（102）上生长有GaN LED结构层。
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