[实用新型]适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极

摘要

本实用新型涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、270度和360度时电极均能重合；在垂直于芯片中心轴投影平面上，N型电极沟槽将外延层中N型GaN层之上的部分划分为多个独立的不相接触的单元，使各个单元之间彼此不受影响；本实用新型中电极对称要素较多，使电流分布更为均匀，有效地改善了芯片发热不均的问题；由于P型金属焊盘与N型金属焊盘的高对称性，在打线时能选择性地接通P型金属焊盘与N型金属焊盘，提高了打线的灵活性。

主权项

一种适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，含有衬底、P型电极和N型电极，在所述衬底的P型氮化镓GaN的表面覆盖有ITO薄膜层，其特征在于，所述衬底由网络状的沟槽（2）分割成若干对称分布的台面（1），所述沟槽（2）深入到台面（1）N型的GaN层，但不对N型的GaN层作分割，而是将N型的GaN层及其外延的N型GaN层之上的量子阱层、超晶格层分割为互不相连的部分；沿台面（1）外圈的沟槽（2）形成“L”形台面；所述P型电极包含P型金属电极（6）和P型金属焊盘，设置在台面（1）表面的P型ITO薄膜层（3）上；所述N型电极为包含N型金属电极（4）与N型金属焊盘（6）的网络状电极，所述N型金属电极（4）为相互交错形成网络状的条形电极，设置在台面（1）的台面结构上，被二氧化硅钝化层或者氮化硅钝化层掩埋并与由台面（1）边缘和所述的沟槽（2）相隔离；所述N型金属焊盘（5）设置在所述网络状的N型金属电极（4）的节点处，由所述的台面（1）边缘与所述的沟槽（2）相隔离或者是由所述的沟槽（2）相隔离。