[实用新型]晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201220238684.5 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202601629U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 范维涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;宋爱珍;曹华斌 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 缪友菊 |
地址: | 100041 北京市石景*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),在硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(2)、三氧化二铝(Al2O3)钝化层(3)和减反射层(4),硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(5)和三氧化二铝(Al2O3)钝化层(6),所述背面上的减反射层(4)为α-SiNX:H层;本实用新型利用激光掺杂的方法实现了选择性发射极层,减少了表面复合,极大地提升了电池效率;充分利用三氧化二铝(Al2O3)与硅片结合钝化效果好的特点,增加背反射,提高背面反射率;硅片背面的三氧化二铝(Al2O3)层有效地代替了铝背场,降低成本的同时防止硅片弯曲,降低破片率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),其特征在于,在所述硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅层(2)、三氧化二铝钝化层(3)和减反射膜层(4),所述硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅层(5)和三氧化二铝钝化层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的