[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201220245255.0 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN202678314U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;霍介光;蒋珂玮 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/365 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种图像传感器。该图像传感器包括具有多个像素单元的像素单元阵列，其中每个所述像素单元包括：光电感应区，用于感应光强变化而生成相应的图像电荷；控制晶体管，其耦接到所述光电感应区，用于控制或调整所述图像电荷从所述光电感应区的输出；以及浮动栅极，其位于所述控制晶体管中，用于存储电荷，并基于所存储的电荷来补偿所述像素单元的光强感应特性。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括具有多个像素单元的像素单元阵列，其中每个所述像素单元包括：光电感应区，用于感应光强变化而生成相应的图像电荷；控制晶体管，其耦接到所述光电感应区，用于控制或调整所述图像电荷从所述光电感应区的输出；以及浮动栅极，其位于所述控制晶体管中，用于存储电荷，并基于所存储的电荷来补偿所述像素单元的光强感应特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
