[实用新型]多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 201220248914.6 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN202717591U 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 吴海龙;程佳彪;张华芹;周积卫;茅陆荣 申请(专利权)人: 上海森松新能源设备有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张秋越
地址: 201323 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种多晶硅还原炉,包括:炉壳体,其底部设置有底盘,底盘上开设有多个电极孔、至少一进气孔和至少一出气孔,其中,电极孔以进气孔为中心呈正多边形排列,电极孔位于正多边形的顶点;多个电极,分别设于电极孔中,电极上连接有硅棒;至少一进气管,连接于进气孔;至少一出气管,连接于出气孔。本多晶硅还原炉由于混合气进气管位于电极组成的正多边形中心,混合气出气管均匀分布在底盘上,所以工艺气体能均匀地扩散到正多边形顶点的硅棒表面,生成的多晶硅也更加均匀。
搜索关键词: 多晶 还原
【主权项】:
一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:炉壳体,其底部设置有底盘,所述底盘上开设有多个电极孔、至少一进气孔和至少一出气孔,其中,所述电极孔以所述进气孔为中心呈正多边形排列,所述电极孔位于所述正多边形的顶点;多个电极,分别设于所述电极孔中,所述电极上连接有硅棒;至少一进气管,连接于所述进气孔;至少一出气管,连接于所述出气孔。
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