[实用新型]一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮有效
申请号: | 201220254868.0 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN202839708U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 柳杉;黄治国;王鹏;包兵兵;梅超 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。普通的化学腐蚀花篮中,硅片与硅片盒接触,形成单面硅片盒印,由于硅片盒印是无序的,筛选硅片的无盒印面作为电池的受光面时增加了工作量,降低了效率,并且由于人为的疏忽,部分硅片的片盒印面被用作受光面,降低了产品的品质,本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5°-10°的角度的斜板,使得硅片向同一方向倾斜,产生的片盒印均在同一面,解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼,使得花篮在使用中更加方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 单晶硅 化学 腐蚀 花篮 | ||
【主权项】:
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮,其特征在于:花篮(1)中装有硅片盒(2),花篮(1)底部设有斜板(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的