[实用新型]一种用于多晶硅铸锭炉的冷却装置有效
| 申请号： | 201220258517.7 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN202705566U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 樊海艳 | 申请（专利权）人： | 沈阳森之洋光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110141 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种用于多晶硅铸锭炉的冷却装置，将加热笼内设置有一隔温门，该隔温门将加热笼分为上下两个腔室；所述上腔室为加热室，于上腔室内顶部设有上加热器，中部设有坩埚，下部设有下加热器，用于对坩埚内的硅料快速熔化；所述下腔室为制冷室，于下腔室内底部设有换热装置，用于对坩埚匀速、均匀降温，以便实现多晶硅均匀定向生长。该装置结构简单，操作方便，通过隔热门，巧妙地将炉内冷热分隔开，形成上下温度梯度，通过控制隔热门的开口大小、速度来控制多晶硅的冷却速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 铸锭 冷却 装置 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅铸锭炉的冷却装置，其特征在于：将加热笼内设置有一隔温门，该隔温门将加热笼分为上下两个腔室；所述上腔室为加热室，于上腔室内顶部设有上加热器，中部设有坩埚，下部设有下加热器，用于对坩埚内的硅料快速熔化；所述下腔室为制冷室，于下腔室内底部设有换热装置，用于对坩埚匀速、均匀降温，以便实现多晶硅均匀定向生长。
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