[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置有效
| 申请号： | 201220261684.7 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN202601621U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。本实用新型的技术方案能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
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