[实用新型]一种大功率半导体模块的引出电极结构有效
| 申请号： | 201220273249.6 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202712169U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 管功湖;董建平;梁思平 | 申请（专利权）人： | 临海市志鼎电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;张智平 |
| 地址： | 317000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种大功率半导体模块的引出电极结构，属于电力电子技术领域。它解决了现有技术中由于热胀冷缩产生的应力使引出电极容易折断或者脱离半导体芯片的问题。本大功率半导体模块的引出电极结构，包括用于连接半导体芯片的短直边和用于连接外接电路的长直边，短直边和长直边连为一体，所述的长直边上具有一段弯曲呈弧形的弧形边。该引出电极结构能够在热胀冷缩时减少引出电极对半导体芯片的多余应力，使得大功率半导体模块的产品质量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体 模块 引出 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率半导体模块的引出电极结构，包括用于连接半导体芯片的短直边（3）和用于连接外接电路的长直边（1），短直边（3）和长直边（1）连为一体，其特征在于，所述的长直边（1）上具有一段弯曲呈弧形的弧形边（2）。
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