[实用新型]具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路有效
| 申请号： | 201220292348.9 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN202994176U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王建国 | 申请（专利权）人： | 宁波瑞纳森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路，属于半导体的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，包括衬底；磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上。本实用新型磁阻传感器本体上设置聚磁层，在聚磁层上方或下方设置电流导线，聚磁层能够将电流导线产生的感应磁场及待测外磁场进行放大，从而提高薄膜磁阻传感器的灵敏度及测量范围；精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 聚磁层 线性 薄膜 磁阻 传感器 电路 | ||
【主权项】：
一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是，包括： 衬底； 磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩； 聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上。
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