[实用新型]上部改善环及蚀刻腔室有效
| 申请号： | 201220293484.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN202633250U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 隆均 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种上部改善环，包括环状本体，环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口。还公开了一种蚀刻腔室，包括腔体以及位于腔体内的静电卡盘、下部绝缘环和上部改善环，静电卡盘具有向上凸出的中部，向上凸出的中部由下至上依次穿设于下部绝缘环和上部改善环，上部改善环采用如上所述的上部改善环。通过在上部改善环的环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口，当环状本体的上表面或者下表面由于蚀刻工艺的影响变薄或其表面变粗糙或出现小凹槽，致使无法继续使用，就可以继续使用上部改善环的相反面，从而，在不影响上部改善环功能情况下，使上部改善环的使用寿命增加双倍而不会增加材料成本，有效降低上部改善环的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 上部 改善 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种上部改善环，包括环状本体，其特征在于，所述环状本体的上表面和下表面的内侧端分别设有环形凹口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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