[实用新型]一种接触式曝光掩膜版有效
申请号: | 201220316234.3 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN203164592U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 信恩龙;李喜峰;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种接触式曝光掩膜版。包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜,光刻工艺得到铬薄膜图案,铬薄膜图案上覆一层导电膜。当接触式曝光时,避免掩膜版与涂有光刻胶的基片接触摩擦产生静电对曝光结果产生的影响,降低了掩膜版上灰尘颗粒的吸附,从而降低光刻缺陷,通过光学曝光,将掩膜版上的图形转移到基片上,本实用新型提高了曝光质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 曝光 掩膜版 | ||
【主权项】:
一种接触式曝光掩膜版,包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜,光刻工艺得到铬薄膜图案,铬薄膜图案上覆一层导电膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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