[实用新型]用于电子标签中高频接口的过流保护器有效
申请号: | 201220316362.8 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN202633935U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 曾维亮 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了用于电子标签中高频接口的过流保护器,包括第一电阻、反相器、第一PMOS管及第二PMOS管,第一电阻两端分别与第一PMOS管漏极和第二PMOS管源极连接,第一PMOS管的源极接地,第二PMOS管为二极管连接的MOS管。反相器的输入端与第二PMOS管漏极连接,反相器的输出端与第一PMOS管栅极连接,第一PMOS管漏极与第一电阻之间的线路上连接有直流电压输入线。本实用新型采用上述结构,整体结构简单,便于实现,且本实用新型能在输入过高时进行泄压,从而避免输入电子标签内芯片的电压过高而导致芯片损坏。 | ||
搜索关键词: | 用于 电子标签 高频 接口 保护 | ||
【主权项】:
用于电子标签中高频接口的过流保护器,其特征在于:包括第一电阻(R1)、反相器(INV1)、第一PMOS管(P1)及第二PMOS管(P2),所述第一电阻(R1)两端分别与第一PMOS管(P1)漏极和第二PMOS管(P2)源极连接,第一PMOS管(P1)的源极接地,所述第二PMOS管(P2)为二极管连接的MOS管,所述反相器(INV1)的输入端与第二PMOS管(P2)漏极连接,反相器(INV1)的输出端与第一PMOS管(P1)栅极连接,所述第一PMOS管(P1)漏极与第一电阻(R1)之间的线路上连接有直流电压输入线(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司,未经成都市宏山科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220316362.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种集成导航仪的头盔
- 下一篇:射频系统中电子标签的天线限幅电路