[实用新型]具有高空穴浓度的半导体结构及发光二极管有效
| 申请号： | 201220316929.1 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN202940268U | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陈晓炜;孙谢阳 | 申请（专利权）人： | 西安华新联合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具有高空穴浓度的半导体结构，包括一基板、一电子传输层、一发光层以及一空穴注入层。电子传输层位于基板上。发光层位于电子传输层上。空穴注入层位于发光层上，其中空穴注入层具有至少1018～1020/cm3的空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空穴 浓度 半导体 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有高空穴浓度的半导体结构，包括： 一基板； 一电子传输层，位于该基板上； 一发光层，位于该电子传输层上；以及 一空穴注入层，位于该发光层上，其中该空穴注入层具有至少1018～1020/cm3的空穴浓度。
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