[实用新型]一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路

摘要

本实用新型属于功率驱动技术领域，具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。该电路包括二极管、电阻R1、电阻R2和MOSFET功率管；所述二极管的正极与电阻R1串连，串联后的结构与电阻R2并联，电阻R1和电阻R2的公共端与MOSFET功率管的栅极G连接，MOSFET功率管的源极S接地，可以实现在不增加高频损耗的情况下减小MOSFET管关断时间，降低关断损耗；所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有稳压管，可以防止栅极G过电压损坏；所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有电容，可以通过改变驱动电路阻抗特性，防止高频振荡，确保MOSFET功率管可靠运行。

主权项

一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：该电路包括二极管（1）、电阻R1（2）、电阻R2（3）和MOSFET功率管（6）；所述二极管（1）的正极与电阻R1（2）串连，串联后的结构与电阻R2（3）并联；电阻R1（2）和电阻R2（3）的公共端与MOSFET功率管（6）的栅极G连接；所述MOSFET功率管（6）的源极S接地。