[实用新型]一种沉积非晶硅薄膜的真空设备有效

专利信息
申请号: 201220345633.2 申请日: 2012-07-17
公开(公告)号: CN202730228U 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 芶富均 申请(专利权)人: 成都达信成科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/24;C23C16/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610200 四川省成都市双流西南*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种用于沉积非晶硅薄膜的真空设备,真空泵组通过真空管道和沉积腔室相连,以保证沉积薄膜时所需的真空环境。沉积腔室通过螺栓固定在支撑平台上。在沉积腔室的侧面对称设有样品门和观测窗,能方便样品的取放以及观察样品的成膜情况。水冷腔室设置在沉积腔室的外部,沉积薄膜时能对沉积腔室和相关零部件进行充分的冷却。ETP等离子体源安装于沉积腔室的正上方中心轴线上,用于产生高密度等离子体,对沉积气体进行离化。特气喷嘴与真空沉积腔室连接。加热系统和样品台置于腔室底部中心,用于盛放样品和对样品进行加热。本实用新型实现了单腔室、快速沉积,可对生产进行模拟和样品分析。
搜索关键词: 一种 沉积 非晶硅 薄膜 真空设备
【主权项】:
一种沉积非晶硅薄膜的真空设备,包括水冷腔室和沉积腔室,其特征在于:还包括真空泵组(1),真空泵组(1)通过真空管道(10)和沉积腔室(8)相连;沉积腔室(8)通过螺栓固定在支撑平台(7)上;在沉积腔室(8)的侧面对称地设置有样品门(2)和观测窗(201);水冷腔室(3)设置在沉积腔室(8)的外部;ETP等离子体源(4)安装于沉积腔室(8)的正上方中心轴线上,特气喷嘴(9)与真空沉积腔室(8)连接;加热系统(5)和样品台(6)置于腔室底部中心。
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