[实用新型]一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管有效
| 申请号： | 201220356753.2 | 申请日： | 2012-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN202871848U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张杰;蒋建;陈依新 | 申请（专利权）人： | 张杰;蒋建;陈依新 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括有从下往上依次纵向层叠生长的下电极、转移衬底、后置层、电流扩展层、第二限制层、有源区、第一限制层、窗口层，上电极，具体结构如附图2所示。采用了ELO技术，通过一次性湿法腐蚀的办法，将外延生长时用的衬底一次性完整的剥离。本实用新型制作工艺简单，脱落的衬底材料可以重复使用，大大减少了工艺过程中外延材料的浪费，从而节约了成本，给工业生产提供了便利，起到了环境保护的作用。基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其光效高，亮度高，工艺重复性好；器件尺寸随亮度需求而灵活变化，相同数量的芯片比较，其产值高，成本低，非常适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 elo 技术 倒装 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管，其特征在于，包括有从下往上依次纵向层叠生长的下电极、转移衬底、后置层、电流扩展层、第二限制层、发光单元、第一限制层、窗口层、上电极。
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