[实用新型]一种微波裂片设备有效
| 申请号： | 201220360782.6 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN202712135U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 何自强;柳清超;刘洋 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/301 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种微波裂片设备，属于微波裂片技术领域。微波裂片设备包括加热腔室、加热器、微波发生器、硅片传输机械手、载物台、测温系统和控制系统；其中：所述加热器、测温系统和控制系统设置于加热腔室内部，所述微波发生器设置于加热腔室外部；所述载物台固定于加热腔室底面上，加热腔室侧壁开传输孔，所述硅片传输机械手与控制系统连接，控制系统控制硅片传输机械手通过所述传输孔将硅片移入加热腔体内并置于载物台上及从载物台上抓取硅片并通过所述传输孔孔移出加热腔室。利用该设备进行微波裂片，可以根据需要实现硅片加工温度的自动控制和调节，同时实现硅片产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 裂片 设备 | ||
【主权项】：
一种微波裂片设备，其特征在于：该设备包括加热腔室、加热器、微波发生器、硅片传输机械手、载物台、测温系统和控制系统；其中：所述加热器、测温系统和控制系统设置于加热腔室内部，所述微波发生器设置于加热腔室外部；所述载物台固定于加热腔室底面上，加热腔室侧壁开传输孔，所述硅片传输机械手与控制系统连接，控制系统控制硅片传输机械手通过所述传输孔将硅片移入加热腔体内并置于载物台上及从载物台上抓取硅片并通过所述传输孔孔移出加热腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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