[实用新型]一种测试设备有效
申请号: | 201220366560.5 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN202748453U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 胡小青 | 申请(专利权)人: | 苏州贝腾特电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/327 | 分类号: | G01R31/327;H02M5/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215121 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种测试设备,包括交流电源电路、相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路;其特征在于:相位产生电路包括可控硅电流控制电路;所述可控硅电流控制电路包括:根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4,由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19,双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。本实用新型通过改进可控硅电流控制电路,使其结构较为合理,能够有效满足特殊漏电断路器的测试需求。 | ||
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【主权项】:
一种测试设备,包括交流电源电路(1)、相位产生电路(2)、交流漏电调节电路(3)和时间检测电路(4);其特征在于:相位产生电路(2)包括可控硅电流控制电路;所述可控硅电流控制电路包括:根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4,由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19,双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
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