[实用新型]台面型双向触发二极管有效
申请号: | 201220366682.4 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN202721130U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 吴金姿;保爱林 | 申请(专利权)人: | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开一种台面型双向触发二极管,属于半导体领域,包括第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散层和第四扩散层,上述结构层依次排列形成对称性的导电结构。第一扩散层和硅基片之间设有第一PN结,第二扩散层和硅基片之间设有第二PN结,第三扩散层和第一扩散层之间设有第三PN结,第四扩散层和第二扩散层之间设有第四PN结;通过调节几个PN结的间距以及扩散层的浓度即可满足所需特性,对硅基片厚度无任何要求,解决了对硅基片厚度要求严格且制程损耗大的问题,而且便于操作。 | ||
搜索关键词: | 台面 双向 触发 二极管 | ||
【主权项】:
台面型双向触发二极管,其特征在于:包括硅基片,在硅基片的上表面设有第一扩散层,在硅基片的下表面设有第二扩散层;在第一扩散层上设有第三扩散层,在第二扩散层上设有第四扩散层,第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散层和第四扩散层依次排列形成对称性的导电结构;其中,第一扩散层和硅基片之间设有第一PN结,第二扩散层和硅基片之间设有第二PN结,第三扩散层和第一扩散层之间设有第三PN结,第四扩散层和第二扩散层之间设有第四PN结;上述第一PN结、第二PN结、第三PN结和第四PN结均为平面结。
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