[实用新型]具有高出光效率的LED芯片有效
| 申请号： | 201220369657.1 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN202749410U | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山市银雨照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于LED照明领域，具体涉及一种具有高出光效率的LED芯片。包括自下而上依次设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，所述透明导电层上形成有P电极，所术N型半导体层上形成有N电极，所述P电极、N电极以及透明导电层上设置有钝化保护层。由于具有周期性微结构的透明导电层，在增加电流扩散效果的同时增加了散射中心，使得在P型GaN和透明导电层界面发生全发射的几率减小，增加出光效率。同时，具有周期性微结构的钝化保护层，在保证芯片不受实用环境影响的同时，具有增透膜的效果，周期性微结构也增加了散射中心，使得在透明导电层界面和钝化保护层界面发生全发射的几率减小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高出光 效率 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，包括自下而上依次设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，所述透明导电层上形成有P电极，所术N型半导体层上形成有N电极，所述P电极、N电极以及透明导电层上设置有钝化保护层。
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