[实用新型]一种平板阵列基板及传感器有效

专利信息
申请号: 201220370699.7 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN202796954U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 徐少颖;谢振宇;陈旭 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;程立民
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开一种平板阵列基板及传感器,该平板阵列基板包括:基板、基板上方的栅极及栅极扫描线;栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层,栅绝缘层上方且对应栅极区域的第一有源层,第一有源层上方且对应栅极区域的源/漏电极层,栅绝缘层上方且对应非栅极区域的第二有源层,第二有源层上方的公共电极层;第一有源层和源/漏电极层上方的第一钝化层,第二有源层和栅绝缘层上方的第二钝化层,第一钝化层与第二钝化层之间的过孔;第二钝化层及过孔上方的第一透明导电层;第一钝化层及第一透明导电层上方的树脂层;树脂层及过孔区上的第二透明导电层。本实用新型提供的技术方案,能够降低使用的掩膜版数量,提高设备产能。
搜索关键词: 一种 平板 阵列 传感器
【主权项】:
一种平板阵列基板,其特征在于,该平板阵列基板包括:基板及所述基板上方的栅极及栅极扫描线;所述栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层,在所述栅绝缘层上方且对应栅极区域的第一有源层,所述第一有源层上方且对应栅极区域的源/漏电极层,以及所述栅绝缘层上方且对应非栅极区域的第二有源层,所述第二有源层上方的公共电极层;所述第一有源层和所述源/漏电极层上方的第一钝化层,所述第二有源层和栅绝缘层上方的第二钝化层,所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的过孔;所述第二钝化层及所述过孔上方的第一透明导电层;所述第一钝化层及所述第一透明导电层上方的树脂层;所述树脂层及所述过孔区上的第二透明导电层。
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