[实用新型]一种平板阵列基板及传感器有效
申请号: | 201220370699.7 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN202796954U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;程立民 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种平板阵列基板及传感器,该平板阵列基板包括:基板、基板上方的栅极及栅极扫描线;栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层,栅绝缘层上方且对应栅极区域的第一有源层,第一有源层上方且对应栅极区域的源/漏电极层,栅绝缘层上方且对应非栅极区域的第二有源层,第二有源层上方的公共电极层;第一有源层和源/漏电极层上方的第一钝化层,第二有源层和栅绝缘层上方的第二钝化层,第一钝化层与第二钝化层之间的过孔;第二钝化层及过孔上方的第一透明导电层;第一钝化层及第一透明导电层上方的树脂层;树脂层及过孔区上的第二透明导电层。本实用新型提供的技术方案,能够降低使用的掩膜版数量,提高设备产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 平板 阵列 传感器 | ||
【主权项】:
一种平板阵列基板,其特征在于,该平板阵列基板包括:基板及所述基板上方的栅极及栅极扫描线;所述栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层,在所述栅绝缘层上方且对应栅极区域的第一有源层,所述第一有源层上方且对应栅极区域的源/漏电极层,以及所述栅绝缘层上方且对应非栅极区域的第二有源层,所述第二有源层上方的公共电极层;所述第一有源层和所述源/漏电极层上方的第一钝化层,所述第二有源层和栅绝缘层上方的第二钝化层,所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的过孔;所述第二钝化层及所述过孔上方的第一透明导电层;所述第一钝化层及所述第一透明导电层上方的树脂层;所述树脂层及所述过孔区上的第二透明导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220370699.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种绿滨垫
- 下一篇:一种棕榈壳与棕榈纤维的进料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的