[实用新型]一种采用N型衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 201220374252.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN202797055U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡建九;杨凯;林志伟;陈凯轩;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；本实用新型可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 衬底 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，其特征在于：在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层。
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