[实用新型]正面副栅线电极结构有效
申请号: | 201220375794.6 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN202712203U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 刘伟;陈筑;詹国平;刘晓巍;蔡二辉;徐晓群 | 申请(专利权)人: | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315177 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种正面副栅线电极结构,包括若干条与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线(20)相交的第一副栅线(11),还包括设有内嵌段(13b)和外露段(13a)的第三副栅线(13),内嵌段(13b)与主栅线(20)上相应的首段(21)或末段(22)叠交,外露段(13a)与第一副栅线(11)相交;若干条第一副栅线(11)的两端分别连接有第二副栅线(12),若干条第一副栅线(11)上的首条和末条第一副栅线与所述的第二副栅线(12)首尾依次连接。该正面副栅线电极结构在二次套印过程中能够快速准确的对位印刷,且当第一副栅线有断裂时,该断裂段上的电流仍可传到正面主栅线电极结构的主栅线上。 | ||
搜索关键词: | 正面 副栅线 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种正面副栅线电极结构,它包括若干条与第二次套印的正面主栅线电极结构的主栅线(20)相交的第一副栅线(11),其特征在于:它还包括设有内嵌段(13b)和外露段(13a)的第三副栅线(13),所述的内嵌段(13b)与主栅线(20)上相应的首段(21)或末段(22)叠交,所述的外露段(13a)与第一副栅线(11)相交;所述的若干条第一副栅线(11)的两端分别连接有第二副栅线(12),所述的若干条第一副栅线(11)上的首条和末条第一副栅线与所述的第二副栅线(12)首尾依次连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的