[实用新型]芯片的电流检测电路有效
申请号: | 201220378736.9 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN202735401U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 肖飞;郑辰光;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;李志刚 |
地址: | 100048 北京市海淀区西*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种芯片的电流检测电路,该电路包括:栅极驱动电路;第一NMOS管;第二NMOS管;第一电阻;第二电阻;比较器;恒流源;以及调整器件,该调整器件根据输出NMOS所处的不同工作区域进行调整以使得输出NMOS处在不同工作区域时芯片的过流阈值相等。本实用新型解决了相关技术中芯片的电流检测电路未考虑输出MOS管的工作区域的问题,实现了输出MOS管工作在饱和区和线性区时芯片的过流阈值一致。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电流 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种芯片的电流检测电路,其特征在于,包括:栅极驱动电路,用于输出栅极驱动电压;第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与所述栅极驱动电路连接;第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接;第一电阻,所述第一电阻的第一端与所述第二NMOS管的漏极连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第一NMOS管的漏极和电源电压连接;第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接;比较器,所述比较器的第一输入端与所述第二NMOS管的漏极连接,所述比较器的第二输入端与所述第二电阻的第二端连接;恒流源,所述恒流源的第一端与所述比较器的第二输入端连接,所述恒流源的第二输入端接地;以及调整器件,所述调整器件的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述调整器件的第二端与所述第二电阻连接,所述调整器件的第三端与所述第一NMOS管的漏极和所述电源电压连接,用于根据所述第一NMOS管所处的不同工作区域进行调整以使得所述第一NMOS管处在不同工作区域时芯片的过流阈值相等,其中,所述不同区域包括饱和区和线性区。
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