[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201220384053.4 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202712205U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王庆东 | 申请（专利权）人： | 深圳蔚光能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 高萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 薄膜 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】：
串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于包括透明导电玻璃基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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