[实用新型]芯片级封装声表面波器件有效
| 申请号： | 201220398563.7 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN202772854U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇;周宗闽;王祥邦;姚艳龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片级封装声表面波器件，其在基板表面除制作出声表面波器件的引出金属电极外，还制作有围绕器件的金属接地框；采用绝缘薄膜完全覆盖覆晶结构阵列，使绝缘薄膜密接覆晶结构，并在覆晶结构处使芯片有源区与基板表面间有一定间隔，均形成一空腔；去除倒置芯片背面部分绝缘薄膜；沿基板表面金属接地框内侧，将其外的绝缘薄膜去除，覆晶结构仍被绝缘膜密接封闭；在已覆盖绝缘薄膜的覆晶结构上，淀积完全覆盖的双层金属膜；可以再采用塑料封装，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 表面波 器件 | ||
【主权项】：
一种芯片级封装声表面波器件，其特征在于： 在基板表面制作出声表面波器件的金属引出电极，和围绕器件的金属接地框； 采用绝缘薄膜完全覆盖覆晶结构，使绝缘薄膜密接覆晶结构，并在覆晶结构处使倒置芯片有源区与基板表面间有一定间隔，均形成一空腔；去除倒置芯片背面部分绝缘薄膜；沿基板表面金属接地框内侧，将覆晶结构外的绝缘薄膜去除，覆晶结构仍被绝缘薄膜密接封闭；在已部分覆盖绝缘薄膜的基板上，淀积全部覆盖的金属膜。
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