[实用新型]一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶有效
| 申请号： | 201220400967.5 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN202786410U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李晨光 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶，属于真空镀膜技术领域。它包括基材、真空镀膜室、等离子体，在真空镀膜室中两侧设置有反应气体入口，在真空镀膜室内设置有屏蔽罩，孪生靶位于屏蔽罩内，在真空镀膜室上设置有工艺气体入口和光学探头，所述光学探头与光电转换系统连接，光电转换系统与压电系统连接；中频电源与孪生靶连接。若采用合金靶可提高靶材利用率，废旧靶材还可回收利用，大大提高了生产成本；对合金靶采用孪生靶位，并对其采用中频反应磁控溅射方法可有效防止靶材节瘤，中毒现象。保证了镀膜过程的稳定性，提高了成膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中频 反应 磁控溅射 合金 | ||
【主权项】：
一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶，它包括基材（1）、真空镀膜室（2）、等离子体（4），其特征在于：在真空镀膜室（2）中两侧设置有反应气体入口（3），在真空镀膜室（2）内设置有屏蔽罩（6），孪生靶（5）位于屏蔽罩（6）内，在真空镀膜室（2）上设置有工艺气体入口（7）和光学探头（8），所述光学探头（8）与光电转换系统（9）连接，光电转换系统（9）与压电系统（10）连接；中频电源（11）与孪生靶（5）连接。
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