[实用新型]一种半导体二极管结构有效
| 申请号： | 201220411190.2 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN202855743U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 卢桦岗;林小青 | 申请（专利权）人： | 中山市华星电源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/40 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人： | 谢自安 |
| 地址： | 528400*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型一种半导体二极管结构，其二极管芯片设在导电散热底板和导电散热连接座之间，导电散热底板和导电散热连接座之间采用螺栓绝缘连接，即连接螺栓与导电散热连接座绝缘连接，其结构简单，具强度高，导电能力强，耐高温和工作安全可靠的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体二极管结构，其特征在于包括导电散热底板（1），所述导电散热底板（1）上连接有导电散热连接座（3），所述导电散热底板（1）与导电散热连接座（3）之间设有二极管芯片（9），所述导电散热底板（1）与导电散热连接座（3）之间设有绝缘支撑件（8），所述绝缘支撑件（8）设在二极管芯片（9）侧边，所述导电散热底板（1）与导电散热连接座（3）通过螺栓绝缘连接。
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