[实用新型]一种快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 201220428448.X | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN202712192U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周明;程万坡;穆连和;张兴杰 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种快恢复二极管芯片，涉及半导体器件的制造技术领域，包括N++结构层，在所述N++结构层的背面设置背面镀膜层，在N++结构层的正面设置N+结构层，在N+结构层的正面设置N-结构层，在N-结构层的正面设置P结构层，在P结构层的正面设置正面镀膜层；在正面镀膜层的两侧设置SiO2层，在P结构层的两侧和N-结构层两侧的局部设置台面，在所述台面的外表面设置玻璃钝化层；所述SiO2层与相应的所述玻璃钝化层相连续。本实用新型可以通过两次磷扩散和一次硼扩散的工艺方法，提高产品的反向恢复特性，使产品的反向恢复时间减小，反向恢复软度大大提高，以进一步提高产品质量，满足用户的需求，扩大产品的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管芯片，其特征在于包括N++结构层，在所述N++结构层的背面设置背面镀膜层，在N++结构层的正面设置N+结构层，在N+结构层的正面设置N‑结构层，在N‑结构层的正面设置P结构层，在P结构层的正面设置正面镀膜层；在正面镀膜层的两侧设置SiO2层，在P+结构层的两侧和N‑结构层两侧的局部设置台面，在所述台面的外表面设置玻璃钝化层；所述SiO2层与相应的所述玻璃钝化层相连续。
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