[实用新型]一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板有效

专利信息
申请号: 201220432093.1 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN202730303U 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 罗大伟;王临水;路忠林;林洪峰;张凤鸣 申请(专利权)人: 天威新能源控股有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 廖曾
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,包括贴附在石英坩埚底部的石墨底板,所述石墨底板内镶嵌有若干均匀分布的冷源块,所述冷源块为点冷源块或\和棱冷源块。本实用新型的有益效果是,减少在铸锭多晶结晶初期的成核数量,并且在结晶初期控制晶粒横向长大后再向上生长,从而获得具有较大横截面积的柱状多晶硅晶锭。降低铸锭多晶硅体内晶界及缺陷密度,提高晶体质量,从而提高光伏电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 制备 晶粒 铸造 多晶 新型 石墨 底板
【主权项】:
一种制备大晶粒铸造多晶硅的新型石墨底板,包括贴附在石英坩埚(1)底部的石墨底板(3),其特征在于:所述石墨底板(3)内镶嵌有若干均匀分布的冷源块(4),所述冷源块(4)为点冷源块或\和棱冷源块。
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