[实用新型]金属化膜及镀膜机有效
| 申请号： | 201220445298.3 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN202766610U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 曹骏骅;周峰 | 申请（专利权）人： | 安徽赛福电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/24;C23C14/54;B32B15/04;H01G4/005;H01G13/00 |
| 代理公司： | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人： | 胡敏 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了金属化膜及生产该金属化膜的镀膜机，该金属化膜包括绝缘的薄膜层以及镀在该薄膜层上的金属镀层，该金属镀层呈曲线形态变化且包括边缘加厚的加厚区、呈N型正弦半波形变化的低阻区以及呈狭长条形的高阻区，该低阻区衔接该加厚区与该高阻区，且该低阻区与该加厚区以及该高阻区均采用弧形过渡。本实用新型的优点在于：可以使电容器用金属化膜方阻做到边缘加厚、活动区呈N型正弦半波形变化，使电容器工作时介质表面电流密度分布均衡，达到抗涌流、低温升、抗老化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 镀膜 | ||
【主权项】：
金属化膜，其包括绝缘的薄膜层以及镀在该薄膜层上的金属镀层，其特征在于，该金属镀层呈曲线形态变化且包括边缘加厚的加厚区、呈N型正弦半波形变化的低阻区以及呈狭长条形的高阻区，该低阻区衔接该加厚区与该高阻区，且该低阻区与该加厚区以及该高阻区均采用弧形过渡。
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