[实用新型]用于气相沉积工艺的反应腔室有效
| 申请号： | 201220455725.6 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN202830166U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 孙仁君;左然;何晓崐;叶芷飞;谭华强;田益西 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例解决的技术问题是提供一种用于气相沉积工艺的反应腔室，包括：托盘，其上表面用于放置衬底；腔室侧壁，环绕所述托盘一周，还包括：构件，至少有一部分环绕所述托盘的边缘一周，所述构件用于改进托盘的边缘的气流场、温度场或浓度场的均匀性。本实用新型实施例提高了反应腔室中的托盘上尤其是托盘边缘处的气流场、温度场或浓度场的均匀性，提高了衬底上形成的外延材料层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 工艺 反应 | ||
【主权项】：
一种用于气相沉积工艺的反应腔室，包括：托盘，其上表面用于放置衬底；腔室侧壁，环绕所述托盘一周；其特征在于，还包括：构件，至少有一部分环绕所述托盘的边缘一周，所述构件用于改进托盘的边缘的气流场、温度场或浓度场的均匀性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光达光电设备科技（嘉兴）有限公司，未经光达光电设备科技（嘉兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220455725.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
