[实用新型]一种高性能半导体器件有效
| 申请号： | 201220468753.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202816933U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 罗艳玲 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种高性能半导体器件，其结构包括有电路基板和管脚，还包括分别设置于对应的电路基板上的MOS芯片和IC芯片，所述MOS芯片通过铜线与管脚和电路基板电连接，所述IC芯片通过金线与MOS芯片、管脚和电路基板电连接。由于IC芯片的导电要求较高，所以采用了金线作为导电介质，而MOS芯片的导电要求相对较低，因此采用铜线即可满足要求。与现有技术相比，本实用新型在同一半导体器件中同时采用金线和铜线作为导电介质，可在较低的生产成本下满足高性能半导体芯片的，获得低成本，高性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高性能半导体器件，包括电路基板（1）和管脚（2），其特征在于：还包括分别设置于对应的电路基板（1）上的MOS芯片（3）和IC芯片（4），所述MOS芯片（3）通过铜线（5）分别与管脚（2）和电路基板（1）电连接，所述IC芯片（4）通过金线（6）分别与MOS芯片（3）、管脚（2）和电路基板（1）电连接。
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