[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201220472539.3 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN203013782U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;张旺 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED芯片，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和导电层，所述衬底为图形化的衬底，所述p型氮化物层与导电层相接触的表面上分布有坑状结构，所述坑状结构位于p型氮化物层上，所述坑状结构内覆盖具有绝缘特性的阻挡层。本实用新型通过在p型氮化物层表面上形成坑状结构，每一个坑状结构都是一个潜在的漏电通道，然后通过在坑状结构内形成绝缘的阻挡层，可有效阻挡漏电中心对电子的输送作用，迫使电子和空穴以正常的方式进入发光层，从而提高LED芯片的ESD性能和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和导电层，所述衬底为图形化的衬底，所述p型氮化物层与导电层相接触的表面上分布有坑状结构，所述坑状结构位于p型氮化物层上，所述坑状结构内覆盖具有绝缘特性的阻挡层。
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