[实用新型]一种碳化硅电力电子器件有效
| 申请号： | 201220474481.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN202888167U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李锡光;萧黎鑫;黎秀靖;张新河;俞军;刘丹;潘胜 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种碳化硅电力电子器件，旨在提高供一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化硅电力电子器件。该器件包括：一碳化硅半导体薄膜以及形成于碳化硅半导体薄膜上的掩膜层，所述的掩膜层为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案间形成有间隙。本实用新型在碳化硅半导体薄膜上淀积硅薄膜层，将硅薄膜层经刻蚀后形成硅薄膜，并在硅薄膜上进行氧化工艺处理，通过氧化形成氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案可通过氧化温度和时间等条件，精确控制其宽度，即可控制氧化硅薄膜图案之间的间隙的大小，使本实用新型精密程度高，可满足不同产品的需求。另外，本实用新型还具有制作简单、成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 电力 电子器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：该器件包括：一碳化硅半导体薄膜（1）以及形成于碳化硅半导体薄膜（1）上的掩膜层（2），所述的掩膜层（2）为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案（22），该氧化硅薄膜图案（22）间形成有间隙（20）。
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