[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201220476129.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN202839727U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 皮智华;张建宝 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。该芯片包括衬底以及依次层叠在衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，p型层上设有p型焊盘，p型层上设有盲孔，盲孔从p型层延伸至n型层，盲孔的一端设有n型焊盘且n型焊盘位于p型层上，盲孔内设有将n型焊盘与n型层电连接的导电结构，n型焊盘与p型层之间、导电结构与p型层之间以及导电结构与多量子阱层之间设有绝缘层。本实用新型通过上述技术方案，从而减小了制作n型焊盘时需要刻蚀掉的发光面积，相较于传统的发光二极管芯片，本实用新型的发光二极管芯片相应地增大了发光面积，从而提高了发光二极管芯片的亮度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，所述p型层上设有p型焊盘，其特征在于，所述p型层上设有盲孔，所述盲孔从所述p型层延伸至所述n型层，所述盲孔的一端设有n型焊盘且所述n型焊盘位于所述p型层上，所述盲孔内设有将所述n型焊盘与所述n型层电连接的导电结构，所述n型焊盘与所述p型层之间、所述导电结构与所述p型层之间以及所述导电结构与所述多量子阱层之间设有绝缘层。
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