[实用新型]设有测温装置的真空腔体有效
| 申请号： | 201220481609.1 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN202816888U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 郭勋聪;洪婉玲;蔡俊毅 | 申请（专利权）人： | 钜永真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种设有测温装置的真空腔体，该真空腔体主要包括：一腔体；一第一板材；一第二板材；一第三板材；一第四板材；一第五板材；以及多个测温装置。该真空腔体结构可提升腔体耐热温度，并可通过测温装置设置，精准地监控真空腔体内部温度，以提高加工品质。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 测温 装置 空腔 | ||
【主权项】：
一种设有测温装置的真空腔体，其特征在于，包括：一腔体，其中该腔体底部包括一承载板且该承载板设有四个边以形成该腔体，依次包括一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边；一第一板材，垂直于该第一边； 一第二板材，垂直于该第二边并平行于该第一板材；一第三板材，垂直于该第三边；一第四板材，垂直于该第四边并平行于该第三板材；一第五板材，邻近于该承载板；以及多个测温装置，设置于该腔体内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
