[实用新型]一种十二寸晶圆框架有效
| 申请号： | 201220493745.2 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN202957225U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李德峰 | 申请（专利权）人： | 昆山英博尔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215345 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种十二寸晶圆框架，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被直线四条边沿其外边缘截取四部分后的形状,所述四条边长度均相等且相对的两两平行；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口。通过将框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，从而达到了设计合理、结构简单、且固定牢固应用效果好的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 十二 寸晶圆 框架 | ||
【主权项】：
一种十二寸晶圆框架，其特征在于，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被直线四条边沿其外边缘截取四部分后的形状，所述四条边长度均相等且相对的两两平行；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
