[实用新型]具有低导通电阻的栅压自举开关有效
| 申请号： | 201220495197.7 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN202906867U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 谢循;方飞 | 申请（专利权）人： | 泰凌微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路领域，公开了一种具有低导通电阻的栅压自举开关。本实用新型中，起开关作用的M1的衬底并不直接与其源端短接，而是通过一个控制开关与其源端相连。该控制开关在栅压自举电路处于预充电模式时，处于关断状态；在栅压自举电路处于自举模式时，处于打开状态。因此，当栅压自举电路处于预充电模式时，M1的衬底相当于接地，保证了M1的彻底关断；而当栅压自举电路处于自举模式时，M1的衬底将通过该控制开关与其漏端连通，消除衬偏效应，使得无论输入信号为多少，开关M1的导通电阻都保持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 开关 | ||
【主权项】：
一种具有低导通电阻的栅压自举开关，包含：作为开关的金属氧化物半导体MOS晶体管（M1）、与该MOS晶体管（M1）相连的栅压自举电路，其特征在于， 所述MOS晶体管（M1）的衬底通过一控制开关与本MOS晶体管（M1）的源端相连。
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