[实用新型]鳍式双极结型晶体管有效
| 申请号： | 201220499149.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202816952U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 夏维;陈向东 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。本实用新型提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT，且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种鳍式双极结型晶体管，包括：宽集电极，其位于半导体衬底中；鳍式基极，其被置于所述宽集电极上方；鳍式发射极和外延发射极，其被置于所述鳍式基极上方；其中，所述鳍式双极结型晶体管的窄基极‑发射极结通过所述鳍式基极和所述鳍式发射极形成，且其中，所述外延发射极为所述鳍式双极结型晶体管提供增强的电流传导性。
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